化学气相沉积法也称CVD法。CVD法是把工件置于有氢气保护的炉内，加热到高温（高温CVD）或者在低压（约40Pa）条件下可以实现低温CVD，向炉内通入反应气，使之在炉内热解，化合成新的化合物沉积在工件表面。倒如在工件表面沉积TiC，将工件置于炉内，通氢气加热到900～1100℃，以氢为载体气，将TiCl4和CH4（或C2H2）通入炉内，发生反应：

TiCl4+CH4+H2→Tic+4HCl+H2

从而在工件表面获得一层TiC涂层。为了加速反应过程，把常压变为低压，故有低压化学气相沉积（LPCVD）。

从而在工件表面获得一层TiC涂层。为了加速反应过程，把常压变为低压，故有低压化学气相沉积（LPCVD）。

CVD法可分置换型、加水分解型和氧化型三类。不管怎样分类，CVD法都是利用气相的化学反应，析出欲涂覆的物质，沉积在工件上的过程，其反应包括以下几种，见表13-4。